Тайваньским исследователям из Macronix удалось разработать флэш-память, которая способна самовосстанавливаться в процессе износа. В основу данной разработки положили способность ячеек памяти к восстановлению при воздействии высокой температуры. Было предложено ячейки подвергать краткосрочному сильному нагреванию (в течении нескольких миллисекунд до температуры 800 градусов Цельсия). Судя по утверждению разработчиков, такая процедура увеличит число циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND с 10 тысяч циклов до ста миллионов и даже более.

«Нагреватели» были расположены прямо в схеме таким способом, чтобы каждый из них сумел охватить лишь небольшую группу ячеек. В действие вводить «нагреватели» решено поочередно. Предполагается, что устройство, в котором будет использована плата, - к примеру, смартфон, - необходимо будет подключать к источнику питания, и оно должно находиться при этом в неактивном состоянии.

Флэш-память используют в мобильных устройствах, в SSD-дисках, в USB-накопителях. В настоящее время имеются всевозможные методы продления срока их службы. В одном из них, получившем название "Wear levelling" («Нивелирование износа») подразумевается поочередное использование каждого сегмента памяти вместо постоянной работы одних и тех же ячеек.