Специалисты Fujitsu Laboratories Limited и университета города Торонто (Канада) разработали первый в мире высоконадежный способ чтения для магнитной памяти с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT MRAM).

В принципе, задача, поставленная перед разработчиками была предельно ясной. Широко используемая в современной электронике флэш-память типа NOR, в ближайшем будущем достигнет пределов миниатюризации. Для дальнейшей миниатюризации приходится искать совершенно новую технологию. И одним из наиболее перспективных направлений разработок по замене флэш-памяти в роли энергонезависимой памяти является память типа STT MRAM. К ее достоинствам относится малое энергопотребление, высокое быстродействие и конечно-же миниатюризация. Принцип хранения информации в ячейке STT MRAM основан на изменении направления намагниченности в результате прохождения тока через магнитный материал. Материал может принимать два состояния, которые соответствуют большому и малому сопротивлению участка, что собственно и позволяет хранить информацию.



При чтении к элементу STT MRAM прикладывают напряжение, с целью оценить сопротивление. Сравнительно высокое значение напряжения, приложенного непосредственно к ячейке, может вызвать протекание тока, который изменит состояние. Иными словами, одним из препятствий на пути создания STT MRAM является очень маленькая разница между током чтения и током записи. Флюктуации в свойствах ячеек могут привести к ошибкам при чтении.

Специалистам Fujitsu и университета Торонто удалось преодолеть это препятствие и приблизиться к практическому применению STT MRAM. Суть разработки заключается в том, что ток пропускают не по основной, а по параллельной цепи, свойства которой отражают состояние ячейки. Это дает возможность считывания информации, не рискуя выполнить ошибочную запись.

>

По материалам компании Fujitsu